西区今宿東のパワーデバイス製作所に開発試作棟　三菱電機

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週刊経済2021年4月27日発行

総投資額４５億円

三菱電機㈱（東京・丸の内、杉山武史代表執行役社長ＣＥＯ）は４月１６日、福岡市西区今宿東１丁目のパワーデバイス製作所に開発試作棟を建設する。総投資額は約４５億円。
低炭素社会の到来で、電力を効率よく制御するパワー半導体の需要増を背景に、新技術、新製品の開発を加速することを目的に、製作所内に点在する開発実験室などを集約する。開発試作棟は鉄骨造り地上６階建てで、延べ床面積は約１万３５０㎡。開発実験室、開発品試作ライン、性能試験室、分析機能評価室のほか、事務所や食堂なども設置する。また、環境・省エネ対策として、空調機や換気設備、変圧器の高効率機器を導入するほか、人感、照度センサー付きＬＥＤ照明、内装に木質材料を使用する。来年８月の完成、９月からの稼働を予定している。
安田幸央所長は「敷地内に分散していた開発実験室などを１カ所に集結させることで、新技術・新製品を加速させていきたい」としている。
三菱電機のパワー半導体を巡る動きでは、昨年６月に広島県福山市のシャープ㈱福山事業所内の土地と建屋の一部を取得。約２００億円をかけ、シリコンウエハーの生産工程を増強しており、今年１１月の稼働開始を予定している。